近期，集成电路学院罗为教授、张悦教授合作的磁声耦合效应传感研究结果在物理学期刊《物理评论快报》(Physical Review Letters)上发表。
图中ac为低杨氏模量Ni膜及其二重对称磁声耦合效应，bd为高杨氏模量Ni膜及其四重对称磁声耦合效应。
磁弹耦合效应是磁声多物理场耦合器件的核心物理机制。在瑞利波或水平剪切波等典型的声表面波(SAW)激励下，磁弹耦合能一般表现出四重对称性，即在相邻夹角为90度的四个不同方向下，磁弹耦合能达最大，这是目前磁声耦合器件的基本性能。
实验发现一种具有独特二重对称性的磁声耦合效应，该效应源于杨氏模量较低的磁性薄膜中随膜厚显著增强的垂直剪切应变。在传统四重对称磁声耦合效应中，这一垂直剪切应变通常被认为极其微弱。然而，通过结合实验，理论计算与多物理场仿真，该团队提出当磁性薄膜的杨氏模量较低时，该垂直剪切应变将显著增强，并占据主导地位，从而产生具有独特二重对称的磁声耦合效应。该效应为具有非互易和拓扑特性的新型磁子-声子耦合器件的研究开辟了新道路。
研究由集成电路学院罗为教授和张悦教授合作完成，陈发博士生为第一作者，日本东京大学Yoshichika Otani教授课题组廖立杨博士作为共同第一作者参与主要理论分析工作，傅邱云教授和陈佳欣硕士生等人作出重要贡献。
