采用冷热冲击的方法,以温度改变率为90℃/min,温度循环范围为–65~+150℃,高低温段停留时间为15 min的条件对无铅焊接的BGA焊接位置进行可靠性测试,用金相显微镜,SEM和EDS进行表征分析。结果表明,冷热冲击下BGA的失效点多集中于焊料与焊盘间。SnAgCu焊料与焊盘以及形成的IMC之间的热膨胀系数（CTE）不匹配,还有IMC被氧化是导致在冷热冲击下BGA焊接位置失效的主要原因。
随着便携式电子元器件不断向轻、薄、短、小的方向发展,具有引线间距大、长度短、高可靠性、多功能及高密度化的BGA封装技术被广泛应用于微电子封装中[1]。BGA封装（球栅阵列封装）是在基板背面,按阵列方式制出球形触点作为引脚,然后在基板的正面装配芯片的表面贴装技术。
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