10月16日，武汉天源集团与北京化工大学签约成立磷化铟半导体联合研发中心，揭牌仪式在北京化工大学举行。北京化工大学副校长王峰，化学工程学院党委书记商云龙，化学工程学院教授高正明；武汉天源集团党委书记、总裁黄昭玮，集团副总裁、总工程师、半导体材料事业发展部部长李红，集团副总工程师、集团楚雄磷化铟基地负责人王筛林，天源集团中讯半导体公司总经理时振方等校企双方代表出席仪式。
双方将立足磷化铟半导体材料产业发展需求，整合高校科研优势与企业产业资源，聚力攻克关键技术难题，推动科研成果落地转化，助力我国化合物半导体材料产业高质量发展。
王峰副校长在仪式上致辞，并对武汉天源集团一行到访表示热烈欢迎。他表示，磷化铟是极具战略价值的化合物半导体材料，是新一代信息产业发展的重要基础。校企双方具备天然互补优势，高校聚焦0-1原始创新，着力前沿技术突破；企业专注1-10产业化落地，主攻工艺放大与成果转化应用。北京化工大学在高分子(聚合物)材料领域处于国内领先水平，尤其在高纯化学品、化工合成、化工智能化领域积淀深厚，通过本次共建，将不断向企业输送技术与人才。同时指出，武汉天源集团产业根基扎实、科研成果转化能力突出，具备成熟的产业化落地与资源整合优势。期待双方依托研发中心实现资源共享、优势互补，协同推进磷化铟技术应用与人才共育。
黄昭玮总裁代表武汉天源集团对本次合作寄予厚望。他指出，磷化铟是高速光通信、人工智能、高端芯片制造等领域的核心战略基材，属于国家重点半导体材料产业，行业国产替代、技术自主可控势在必行。同时指出，本次校企共建联合研发中心，既是集团布局战略性新兴产业的务实举措，也是集团磷化铟业务技术与人才的输入渠道。北京化工大学作为国内化工新材料领域顶尖高校，学科底蕴深厚、科研优势突出。武汉天源始终紧跟国家战略导向，坚持环保、绿色能源、新材料多元化发展与升级转型。后续将进一步做实新行业、新技术的开发。重点是对磷化铟技术工艺的升级与迭代。未来，集团将加大该领域的科技研发投入力度。
此次共建，是创新链与产业链的深度融合、优势互补。双方将打通从基础研究、技术攻关到产业化应用的创新链条，聚焦开展6英寸磷化铟单晶衬底产业化关键技术研发，同时启动8英寸磷化铟单晶衬底生长基础研究。同步搭建人才共育体系，持续推动磷化铟半导体材料国产化、高端化技术升级，打造校企协同创新、深度融合的示范标杆。
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