图片来源：同惠电子公告
报告期末，公司总资产预计为428,446,274.48元，同比上升9.34%；归属于上市公司股东的所有者权益预计为369,909,589.58元，同比上升8.63%。
报告期业绩变动的主要原因：
1、伴随消费领域持续复苏，叠加半导体制造等下游应用领域高速发展的强劲拉动，电子测量仪器市场规模保持稳步增长态势。公司紧扣功率半导体产业发展趋势，精准锚定行业核心测试需求，全力推进新产品研发与技术迭代，本年度成功完成多款新品的落地与推出，进一步丰富半导体测试类产品矩阵。
目前公司各品类产品精准匹配功率半导体、新能源领域企业核心需求，全面覆盖从技术研发攻坚到规模化量产质控的全流程测试场景，为客户提供全周期测试解决方案。
2、公司持续加大市场推广与渠道布局力度，深化与战略客户的持续沟通及深度合作，不断夯实一体化测试服务能力。本年度，公司订单交付量较上年同期有所增加，营业收入的增长带动了净利润的快速增长。
得益于新能源汽车普及、智能驾驶渗透、数据中心与AI算力需求增长等多重因素的共同推动，全球半导体行业在经历周期性调整后显现复苏迹象。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料的应用，是各国争相发展的重点领域。
同惠电子近日在接受调研时表示，第三代宽禁带半导体材料独有的高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特性，不仅能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等最新需求，还可以降低50%以上的能量损失，最高可使装备体积减小近75%，在半导体材料领域具有里程碑意义。当前国内以SiC(碳化硅)为基础的相关技术已得到广泛应用，产能建设已经初具规模。而氮化镓(GaN)材料，因其具有宽禁带、高电子迁移率、耐高温等特性，在功率电子、光电子和射频器件等领域的应用越来越成为一种趋势。
同惠电子始终密切跟踪最新技术的进展，适时布局了半导体参数测试类系列仪器：TH500系列半导体器件PIV特性测试系统(已实现量产)、TH51X系列半导体器件CV特性分析仪(已实现量产)、TH520系列功率器件参数分析仪(即将上市)、TH570系列功率器件动态特性分析仪/双脉冲测试仪(即将上市)、TH530系列半导体器件雪崩能量测试仪(已实现量产)、TH540系列半导体器件热阻测试仪(正在研发),为功率半导体行业的发展提供了多种测试选择。
